P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

作     者：焦宝臣 张晓丹 赵颖 孙建 魏长春 杨瑞霞 JIAO Bao-chen;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;YANG Rui-xiao

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 河北工业大学信息工程学院天津300130 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2008年第37卷第3期

页      面：602-605页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：天津市自然科学基金(05YFJMTC01600) 国家自然科学基金项目(No.60506003) 南开大学博士启动基金(J02031) 科技部国际合作重点项目(2006DFA62390) 国家重点基础研究发展规划项目(No.2006CB202602,2006CB202603) 新世纪优秀人才计划 

主　　题：ZnO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池 

摘      要：利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。