埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

作     者：郑中山 刘忠立 张国强 李宁 范楷 张恩霞 易万兵 陈猛 王曦 

作者机构：中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2005年第54卷第1期

页      面：348-353页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：MOSFET SOI 埋氧层 SIMOX 电子迁移率 阈值电压 界面陷阱 剂量 注入 影响 

摘      要：研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了 .且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率 .随注入剂量的增加 ,迁移率略有上升 ,并趋于饱和 .分析认为 ,电子迁移率的降低是由于Si SiO2界面的不平整造成的 .实验还发现 ,随氮注入剂量的提高 ,nMOSFET的阈值电压往负向漂移 .但是 ,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件 .固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素 .另外发现 ,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件 .