压应变Ge/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴散射与迁移率模型

作     者：白敏 宣荣喜 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 舒斌 Bai Min;Xuan Rong-Xi;Song Jian-Jun;Zhang He-Ming;Hu Hui-Yong;Shu Bin

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第3期

页      面：477-482页

核心收录：

学科分类：07[理学] 082403[工学-水声工程] 08[工学] 070206[理学-声学] 0824[工学-船舶与海洋工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：教育部博士点基金(批准号:JY0300122503) 陕西省自然科学基础研究计(批准号:2014JQ8329)资助的课题 

主　　题：锗 应变 散射 迁移率 

摘      要：应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点.本文基于压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型,研究了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系,包括空穴离化杂质散射概率、声学声子散射、非极性光学声子散射、总散射概率以及空穴各向同性、各向异性迁移率,获得了有实用价值的相关结论.本文量化模型可为应力致Ge改性半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有重要的理论参考.