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超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层

Ultra-Thin Ru/TaN Bi-Layer as Diffusion Barrier to Seedless Copper Interconnect

作     者:谭晶晶 周觅 陈韬 谢琦 茹国平 屈新萍 Tan Jingjing;Zhou Mi;Chen Tao;Xie Qi;Ru Guoping;Qu Xinping

作者机构:复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 

出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))

年 卷 期:2006年第27卷第z1期

页      面:197-201页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金(批准号:60476010) 上海市科技启明星基金(批准号:04QMX1407)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302703)资助项目 

主  题: 氮化钽 铜互连 扩散阻挡层 

摘      要:研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.

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