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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学系ASIC及系统国家重点实验室上海200433
出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期:2006年第27卷第z1期
页 面:197-201页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家自然科学基金(批准号:60476010) 上海市科技启明星基金(批准号:04QMX1407)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302703)资助项目
摘 要:研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射线衍射、四探针以及电流-时间测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.同时还对Ru/TaN结构上的铜进行了直接电镀.实验结果表明Ru/TaN双层结构具有优良的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有较好的应用前景.