55~115GHz宽带GaN功率放大器MMIC

作     者：戈勤 徐波 王维波 陶洪琪 吴少兵 薛伟韬 GE Qin;XU Bo;WANG Weibo;TAO Hongqi;WU Shaobing;XUE Weitao

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第6期

页      面：398-402页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：GaN 宽带 功率放大器 MMIC 

摘      要：研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工艺的3mm波段高增益、宽频带功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器结构,结合多节微带线阻抗匹配方式实现宽带放大器。由于该频段器件增益较低,通过合理选择输出阻抗点,使放大器实现较高的增益和较大的输出功率。测试结果表明,芯片在8V漏压连续波下工作,在55～110GHz在片测试频率范围内,增益达到15dB,输入输出端口回波损耗基本小于-10dB,便于系统应用。通过分频段测试,在55～115GHz频率范围内,最大饱和输出功率达到180mW。