杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

作     者：蔡剑辉 陈治西 刘晨鹤 张栋梁 刘强 俞文杰 刘新科 马忠权 CAI Jianhui;CHEN Zhixi;LIU Chenhe;ZHANG Dongliang;LIU Qiang;YU Wenjie;LIU Xinke;MA Zhongquan

作者机构：上海大学物理系上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室广东深圳518060 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2018年第41卷第6期

页      面：1367-1371页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61674161) 

主　　题：MoS2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率 

摘      要：为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率。因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性。