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SiGe/Si异质结器件
作者机构：复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433
出 版 物：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 (自然科学进展)
年 卷 期：1994年第4卷第6期
页 面：693-698页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：自50年代初期,人们即已开始研究SiGe半导体材料。可是由于生长技术困难未能获得品质优良的半导体材料,因而在相当长的一个时期内,一直未受到重视。直到70年代中期,Kasper等彩用超高真空蒸发的方法,在Si衬底上生长出了品质良好的SiGe材料,才重新引起了人们的重视。以后,随着Si分子束外延技术(Molecular beam epitaxy。
