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分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
Investigation on a YAG laser with CPM Self filtering Unstable Resonator作者机构：山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 中国科学院半导体研究所
出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)
年 卷 期：1997年第8卷第3期
页 面：175-177页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：山东省科委资助
摘 要：采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。
