纳米Si/SiO_2多层膜的结构表征及发光特性

作     者：韦德远 陈德媛 韩培高 马忠元 徐骏 陈坤基 WEI De-yuan;CHEN De-yuan;HAN Pei-gao;MA Zhong-yuan;XU Jun;CHEN Kun-ji

作者机构：南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2008年第29卷第1期

页      面：161-165页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(60425414 60508009 90301009) 国家重大基础研究计划"973"(2007CB613401)资助项目 

主　　题：纳米硅 结构 光致发光(PL) 电致发光(EL) 

摘      要：采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。