硼/磷掺杂单壁碳纳米管电子结构的第一性原理计算

作     者：张娟 陈阿青 邵庆益 ZHANG Juan;CHEN A-qing;SHAO Qing-yi

作者机构：广东省高等学校量子信息技术重点实验室华南师范大学物理与电信工程学院广东广州510006 

出 版 物：《山西师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Shanxi Normal University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2011年第25卷第1期

页      面：50-55页

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51072061) 福建省自然科学基金资助项目(A0220001) 

主　　题：单壁碳纳米管 掺杂 电子结构 第一性原理 

摘      要：利用第一性原理电子结构计算方法,基于密度函数理论(DFT),研究了硼(B)/磷(P)掺杂单壁碳纳米管.有无外电场时的总能量,Mayer键级,能带结构和态密度被计算.结果表明有电场时B/P掺杂单壁碳纳米管比无电场时更稳定.B/P掺杂单壁碳纳米管有特殊的能带结构,非常不同于B/N掺杂碳纳米管;由于硼/磷掺杂打破了单壁碳纳米管的对称结构,使得金属型碳纳米管被转换为半导体型.B/P掺杂单壁碳纳米管中的成键方式被详细研究.