非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应

作     者：李柳青 廖显伯 游志朴 

作者机构：北京印刷学院基础部北京102600 中科院半导体所北京100083 四川联合大学物理系四川成都610064 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2001年第29卷第8期

页      面：1076-1078页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：Pin二极管 电子辐照效应 非晶硅 

摘      要：本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移 .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 .