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作者机构:中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 火箭军驻哈尔滨地区军事代表室黑龙江哈尔滨150001
出 版 物:《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)
年 卷 期:2019年第38卷第2期
页 面:154-156,16页
学科分类:080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
摘 要:针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10^(-9)Pa·m^3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。