圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用

作     者：齐虹 丁文波 张松 张林超 田雷 吴佐飞 QI Hong;DING Wen-bo;ZHANG Song;ZHANG Lin-chao;TIAN Lei;WU Zuo-fei

作者机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 火箭军驻哈尔滨地区军事代表室黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2019年第38卷第2期

页      面：154-156,16页

学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 

主　　题：叠层键合 绝缘体上硅 高温压力传感器 异质异构 

摘      要：针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10^(-9)Pa·m^3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。