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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062
出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期:2015年第45卷第5期
页 面:602-606页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:国家自然科学基金资助项目(61306034 61302005)
主 题:低压差线性稳压器 无片外补偿电容 低噪声 高电源抑制比
摘 要:设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10kHz频率处,PSRR为-70dB,输出噪声为21.01nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为-47dB,输出噪声为6.187nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为-27dB,输出噪声为6.244nV·Hz-1/2。