一种用于VCO供电的低噪声LDO

作     者：王建伟 张启帆 张先仁 陈升 张润曦 石春琦 WANG Jianwei;ZHANG Qifan;ZHANG Xianren;CHEN Sheng;ZHANG Runxi;SHI Chunqi

作者机构：华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第5期

页      面：602-606页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61306034 61302005) 

主　　题：低压差线性稳压器 无片外补偿电容 低噪声 高电源抑制比 

摘      要：设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10kHz频率处,PSRR为-70dB,输出噪声为21.01nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为-47dB,输出噪声为6.187nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为-27dB,输出噪声为6.244nV·Hz-1/2。