MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计

作     者：章专 连明超 ZHANG Zhuan;LIAN Ming-chao

作者机构：浙江大学电路与系统研究所浙江杭州310027 

出 版 物：《浙江大学学报（理学版）》 (Journal of Zhejiang University（Science Edition）)

年 卷 期：2012年第39卷第5期

页      面：531-534页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：MOS电流模逻辑 MCML CMOS传输门 三值T门 

摘      要：在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确;输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性;功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关;与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化.