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室温下不同偏压与掺杂浓度对非对称量子阱隧穿系数的影响
Study of Different Bias and Doping Concentration on Asymmetric Quantum-Well Tunneling Coefficients at Room Temperature作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 中北大学理学院山西太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051
出 版 物：《江南大学学报（自然科学版）》 (Joural of Jiangnan University (Natural Science Edition) )
年 卷 期：2013年第12卷第1期
页 面：122-126页
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：中北大学电子测试技术国家重点实验室青年基金项目 中北大学校青年基金项目
摘 要：建立了非对称三势垒量子阱模型,通过对任意单势垒透射系数理论分析,模拟研究了非对称三势垒在室温下,其器件衬底掺杂,在不同浓度与不同偏压下,其透射系数随电子入射能量发生变化的曲线,并进行了分析讨论,得到了内建电场等因素制约量子阱隧穿效应的理论。
