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扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
THE GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON INSULATOR (SOI) BY SCANNING ELECTRON BEAM作者机构：中国科学院电子学研究所北京100080 北京大学计算机科学技术系北京100871
出 版 物：《电子科学学刊》 (Journal of Electronics & Information Technology)
年 卷 期：1995年第17卷第3期
页 面：298-303页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μm^2的单晶区。
