基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究

作     者：徐宗伟 房丰洲 张少婧 陈耘辉 XU Zong-wei;FANG Feng-zhou;ZHANG Shao-jing;CHEN Yun-hui

作者机构：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津市微纳制造技术工程中心天津300072 天津微纳制造技术有限公司天津300457 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2009年第28卷第1期

页      面：62-67页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程] 

基　　金：高等学校学科创新引资计划资助(B07014) 

主　　题：聚焦离子束(FIB) 离子注入 气体辅助刻蚀(GAE) 微结构 

摘      要：提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10～15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。