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Si离子注入对分子束外延Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光特性的影响
Si + ION IMPLANTATION INFLUENCE ON PHOTOLUMINESCENCE IN Si 1-x Ge x /Si QUANTUM WELLS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY作者机构：中国科学院上海冶金研究所 复旦大学物理二系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1998年第47卷第6期
页 面：978-984页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱中并在６００℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在８５０℃的高温退火后重新观测到带边激子发光．这种团簇缺陷的热离化能约为０１ｅＶ，比Ｓｉ中空穴或填隙原子缺陷的热激活能（约００５ｅＶ）高．这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的．
