浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

作     者：刘张李 邹世昌 张正选 毕大炜 胡志远 俞文杰 陈明 王茹 LIU Zhang-li;ZOU Shi-chang;ZHANG Zheng-xuan;BI Da-wei;HU Zhi-yuan;YU Wen-jie;CHEN Ming;WANG Ru

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2010年第16卷第5期

页      面：407-412页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：控制电路 存储单元 单粒子效应 电荷损失 

摘      要：综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。