纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性

作     者：郭婷婷 刘明 管伟华 胡媛 李志刚 龙世兵 陈军宁 Guo Tingting;Liu Ming;Guan Weihua;Hu Yuan;Li Zhigang;Long Shibing;Chen Junning

作者机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 安徽大学电子科学与技术学院合肥230039 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2009年第46卷第2期

页      面：70-74,90页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706) 国家自然科学基金资助项目(90607022,90401002,60506005) 

主　　题：纳米晶 保持特性 高介电常数隧穿介质 金属纳米晶 浮栅存储器 

摘      要：介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶,密度约4×1011cm-2,纳米晶尺寸约6～7nm。实验证明,高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性,所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后,纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者。