沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响

作     者：张金英 华光平 纪新明 周嘉 黄宜平 

作者机构：复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院上海200433 上海先进半导体制造股份有限公司上海200233 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2009年第48卷第4期

页      面：506-510页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体 沟槽深度 击穿电压 良率 

摘      要：采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响，且最终影响量产中的良率．实验表明，在相同的工艺条件下，沟槽深度为1．65μm（试验范围为1．60～1．95μm）时，Ф200mm晶片的良率可达98％以上，器件导通电阻约8．2mΩ，源漏击穿电压稳定在34V以上，正常工作电流可达5A，开启电压和漏电流也稳定在要求范围内．