版权所有：内蒙古大学图书馆 技术提供：维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
SiHCl_3-H_2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究
Theoretical Study of Reaction Mechanism of Silicon Single Crystal Epitaxial Growth in SiHCl_3-H_2 Gas Phase作者机构：辽宁师范大学化学系 辽宁中医学院沈阳110033 中国科学院大连化学物理研究所
出 版 物：《高等学校化学学报》 (Chemical Journal of Chinese Universities)
年 卷 期：2006年第27卷第9期
页 面：1695-1698页
核心收录：
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学]
基 金：吉林大学理论化学计算国家重点实验室资助 辽宁省教育委员会基金(批准号:990321076)资助
摘 要：采用密度泛函理论计算方法,在B3LYP/6-311G*水平下,计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量.结果表明,在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应,但其均未还原出Si原子,只有衬底Si参与SiHCl3-H2的反应,Si原子才淀积在Si衬底上.
