电沉积Bi_2Te_3基薄膜的电化学阻抗谱研究

作     者：林青含 邱丽琴 程璇 周健 Lin Qinghan;Qiu Liqin;Cheng Xuan;Zhou Jian

作者机构：厦门大学材料学院材料科学与工程系厦门361005 福建省特种先进材料重点实验室厦门361005 

出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)

年 卷 期：2012年第70卷第10期

页      面：1173-1178页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：福建省特种先进材料重点实验室基金(No.2006L2003) 

主　　题：Bi2Te3 电化学交流阻抗 电沉积 

摘      要：以不锈钢为基底,利用电化学沉积方法制备Bi2Te3基薄膜材料,并采用X射线衍射技术、电子探针微观分析等方法对薄膜进行结构和成分表征,通过电化学阻抗谱技术对不锈钢表面Bi2Te3的电化学沉积机理进行了初步探讨.结果表明Bi-Te和Bi-Te-Se体系具有相似的电化学沉积机理,即Bi3+和2HTeO+或H2SeO3首先被还原为Bi单质和Te或Se单质,然后Bi单质与Te或Se单质反应生成Bi2Te3基化合物,而Bi-Sb-Te体系中,2HTeO+首先被还原为Te单质,生成的Te再与Bi3+和Sb(III)反应生成Bi2Te3基化合物,三种体系的沉积都受电化学极化控制.