深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器

作     者：徐勇军 陈治国 骆祖莹 李晓维 

作者机构：中国科学院计算技术研究所信息网络研究室北京100080 清华大学计算机科学与技术系北京100084 

出 版 物：《计算机研究与发展》 (Journal of Computer Research and Development)

年 卷 期：2004年第41卷第5期

页      面：880-885页

核心收录：

学科分类：1305[艺术学-设计学（可授艺术学、工学学位）] 13[艺术学] 08[工学] 080203[工学-机械设计及理论] 081304[工学-建筑技术科学] 0802[工学-机械工程] 0813[工学-建筑学] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 70 0 2) 国家"八六三"高技术研究发展计划基金项目( 2 0 0 1AA1110 70 ) 

主　　题：漏电功耗 深亚微米工艺 BSIM漏电模型 

摘      要：随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚微米工艺后 ,漏电功耗已经能和动态功耗相抗衡 ,因此 ,漏电功耗快速模拟器和低功耗低漏电技术一样变得十分紧迫 诸如HSPICE的精确模拟器可以准确估计漏电功耗 ,但仅仅适合于小规模电路 首先证实了CMOS晶体管和基本逻辑门都存在堆栈效应 ,然后提出了快速模拟器的漏电模型 ,最后通过对ISCAS85& 89基准电路的实验 ,说明了在精度许可 (误差不超过 3% )的前提下 ,模拟器获得了成百倍的加速 。