p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

作     者：范红兵 张晓丹 赵颖 孙建 魏长春 谷士彬 张存善 FAN Hong-bing;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;GU Shi-bin;ZHANG Cun-shan

作者机构：河北工业大学信息学院天津300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学天津大学)天津300071 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2006年第35卷第4期

页      面：739-742页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：天津市自然科学基金(No.05YFJMTC01600) 国家自然科学基金项目(No.60506003) 天津市科技攻关项目(No.043186511)资助 

主　　题：ZnO p型传导 超声喷雾热分解 衬底温度 

摘      要：本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。