F离子注入新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMT器件耐压分析

作     者：段宝兴 杨银堂 陈敬 

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 香港科技大学电子与计算机工程系 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2012年第61卷第22期

页      面：402-408页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106076) 国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006)资助的课题 

主　　题：AlGaN GaN HEMT,氟离子 击穿电压 

摘      要：为了缓解AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMT)器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件新结构.首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe,Mg等离子的原因.利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时,氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况,得出当氟离子注入源区时,形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流,击穿电压达到262V.通过减小GaN缓冲层体泄漏电流,提高器件击穿电压,设计具有一定输出功率新型AlGaN/GaN HEMT提供了科学依据.