Mg-In-Zn-O肖特基源漏薄膜晶体管的性能研究

作     者：吴佳宏 屈新萍 WU Jiahong;QU Xinping

作者机构：ASIC和系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第5期

页      面：510-515页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：溶胶-凝胶法 MIZO薄膜 薄膜晶体管 

摘      要：通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶体管性能随着Mg含量增加而变差。实验结果发现,由于先在氧化层上淀积金属源漏,使得器件受到较多界面态的影响,导致漏电流崩塌效应,漏电流随着漏电压的增大而略微变小,当改变金属的淀积顺序时,此效应得到改善。