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宽禁带半导体器件的发展

The Development of Wide Band Gap Semiconductor device

作     者:毕克允 李松法 BI Ke-yun;LI Song-fa

作者机构:中国公司电子科学研究院北京100041 中电科技集团公司第13研究所石家庄050051 

出 版 物:《中国电子科学研究院学报》 (Journal of China Academy of Electronics and Information Technology)

年 卷 期:2006年第1卷第1期

页      面:6-10页

学科分类:0839[工学-网络空间安全] 08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术(可授工学、理学学位)] 

主  题:宽禁带半导体器件 相控阵雷达 电子战系统 水下光通信 精确制导 

摘      要:概要介绍了宽禁带半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。

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