高频电刺激大鼠丘脑底核抑制背侧中缝核5-羟色胺表达

作     者：曹春燕 李晓敏 诸秉根 汪海宏 李永渝 Cao Chunyan;Li Xiaomin;Zhu Binggen;Wang Haihong;Li Yongyu

作者机构：同济大学基础医学院生理学教研室上海200092 同济大学基础医学院病理生理学教研室上海200092 

出 版 物：《神经解剖学杂志》 (Chinese Journal of Neuroanatomy)

年 卷 期：2009年第25卷第4期

页      面：412-416页

学科分类：1002[医学-临床医学] 1010[医学-医学技术（可授医学、理学学位）] 100215[医学-康复医学与理疗学] 100204[医学-神经病学] 10[医学] 

基　　金：上海市科委攻关项目基金(No.1509236007)资助项目 

主　　题：高频电刺激 丘脑底核 5-羟色胺 背侧中缝核 

摘      要：本研究探讨高频电刺激丘脑底核对大鼠背侧中缝核5-羟色胺(5-HT)表达的影响。实验动物分两组,刺激组给予高频电流(130Hz,100μA,60μs)刺激大鼠右侧丘脑底核,对照组大鼠右侧丘脑底核植入电极,但无电流输出。刺激结束后,用免疫组织化学方法染色背侧中缝核5-HT能神经元,检测背侧中缝核5-HT能神经元的数量和平均灰度值。结果显示电刺激组背侧中缝核5-HT阳性神经元数目与对照组比明显减少(t(13)=3.786,P=0.002),并且神经递质5-HT表达量减少,平均灰度值显著增高(t(13)=7.917,P0.001)。本实验结果表明高频电刺激丘脑底核对背侧中缝核5-HT能神经元有抑制作用,在应用高频电刺激丘脑底核治疗Parkison病运动障碍时出现的情绪障碍可能与其有关。