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用古斯-亨兴位移研究PMN-PT电光陶瓷的电光效应
Study on Electro-Optic Effect of PMN-PT Ceramics Using Goos-Hnchen Shift作者机构：铜仁学院物理与电子科学系贵州铜仁554300 上海交通大学物理系区域光纤通信网和新型光通信系统国家重点实验室上海200240 菲尼萨光电通讯有限公司上海201201
出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)
年 卷 期：2011年第38卷第9期
页 面：134-137页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 070207[理学-光学] 0808[工学-电气工程] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(60677029 10874119和10874121) "西部之光"访问学者计划基金项目资助课题
主 题：非线性光学 古斯-亨兴位移 光波导 四方相铌镁酸铅-钛酸铅
摘 要：根据对称金属包覆电光波导中本征损耗与古斯-亨兴(Goos-Hnchen)位移的理论公式,导出了古斯-亨兴位移与作用于波导两侧电压的二次关系公式。用622μm厚度的四方相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)透明电光陶瓷片作为导波层制备了对称金属包覆波导,测量了古斯-亨兴位移与作用于波导两侧电压的关系曲线,计算了所用透明电光陶瓷片的二次电光系数。实验结果与理论分析一致。
