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温度和掺杂浓度对delta掺杂GaAs量子阱电子态结构和子带间光学吸收的影响
Effect of Temperature and Doping Concentration on Structure of Electronic State and Intersubband Optical Absorption of Si Delta-Doped Ga As Quantum Well作者机构：南京师范大学物理科学与技术学院南京210023
出 版 物：《南京师大学报（自然科学版）》 (Journal of Nanjing Normal University(Natural Science Edition))
年 卷 期：2014年第37卷第4期
页 面：51-58页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0702[理学-物理学]
主 题：GaAs量子阱 入射光吸收系数 温度 掺杂浓度 电子态结构
摘 要：在有效质量近似下,通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程,得到了温度不为零时Siδ掺杂的Ga As量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对系统子带能量、费米能级、电子密度分布和子带间光学吸收系数的影响.发现在一定的掺杂浓度下,费米能级会随着温度的升高而降低,子带间入射光总的吸收系数随温度升高而降低;在温度一定时,费米能级和子带能级随掺杂浓度的增大而增大,子带间入射光总吸收系数随掺杂浓度增大而增大.
