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大面积高深宽比硅微通道板阵列制作
Fabrication of Silicon-based Micro Pore Array with Large-area and High Aspect-ratio by Photo-electrochemical Etching作者机构：深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2012年第41卷第2期
页 面：228-231页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金项目(No.11074172) 深圳市科技研发资金重点实验室提升项目(No.CXB201005240011A) 深圳市科技计划基础研究重点项目(No.JC200903130326A)资助
摘 要：利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.
