利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究

作     者：崔影超 谢自力 赵红 梅琴 李弋 刘斌 宋黎红 张荣 郑有炓 Cui Ying-Chao;Xie Zi-Li;Zhao Hong;Mei Qin;Li Yi;Liu Bin;Song Li-Hong;Zhang Rong;Zheng You-Dou

作者机构：南京大学物理系微结构国家实验室江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第12期

页      面：8506-8510页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB6049) 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A118 2006AA03A142) 国家自然科学基金(批准号:60721063 60676057 60731160628 60820106003) 江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019)资助的课题 

主　　题：a面GaN 堆垛层错 极性 

摘      要：采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.