版权所有：内蒙古大学图书馆 技术提供：维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究
Gate length dependence of SOI NMOS device response to total dose irradiation作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2012年第61卷第24期
页 面：125-130页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61076097 60936005) 教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083) 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题
主 题：PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态
摘 要：本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因.短沟道器件输出特性的击穿电压更低.在关态偏置条件下,由于背栅晶体管更严重的辐射效应,短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重.
