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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连116024 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012
出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期:2013年第34卷第8期
页 面:1017-1021页
核心收录:
学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金:国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020) 国家863项目(2011AA03A102) 中央高校项目(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45) 高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045)资助项目
摘 要:研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。