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(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射
NEAR-INFRARED LIGHT EMISSION FROM SINGLE CRYSTAL SILICON DUALLY IMPLANTED WITH ERBIUM AND SILICON作者机构：北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室低能核物理研究所 复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433 南昌大学材料科学与工程系
出 版 物：《北京师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Beijing Normal University(Natural Science))
年 卷 期：2001年第37卷第4期
页 面：476-481页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金项目(6970061) 复旦大学应用表面物理国家重点实验室资助项目
摘 要：利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光．
