GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试

作     者：张倩倩 唐建军 王勇 梁庭 熊继军 Zhang Qianqian;Tang Jianjun;Wang Yong;Liang Ting;Xiong Jijun

作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2011年第48卷第3期

页      面：172-176页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60806022 50730009) 国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907) 

主　　题：加速度计 GaN AlGaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 力电耦合 压阻系数 温度 

摘      要：介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明：常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为（2.47±0.04）×10^-9Pa^-1,高于Si的压阻系数（7.23±3.62）×10^-10Pa^-1。同时测试了HEMT在-40-50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa^-1/℃的速率减小。