应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

作     者：薛春来 时文华 成步文 姚飞 王启明 Xue Chunlai;Shi Wenhua;Cheng Buwen;Yao Fei;Wang Qiming

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第z1期

页      面：435-438页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)、国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目 

主　　题：SiGe HBT 高频大功率 最大单边功率增益 功率增加效率 

摘      要：高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.