双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

作     者：刘石勇 曾湘波 彭文博 姚文杰 谢小兵 杨萍 王超 王占国 LIU Shi-yong;ZENG Xiang-bo;PENG Wen-bo;YAO Wen-jie;XIE Xiao-bing;YANG Ping;WANG Chao;WANG Zhan-guo

作者机构：中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京100083 

出 版 物：《材料工程》 (Journal of Materials Engineering)

年 卷 期：2011年第39卷第8期

页      面：5-7,13页

核心收录：

学科分类：080703[工学-动力机械及工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB202604) 国家自然科学基金资助项目(60576036) 中国科学院知识创新工程重要方向资助项目(1KGCX2-YW-383-1) 

主　　题：纳米硅 氢稀释比 光学带隙 

摘      要：采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。