大脑皮质发育障碍患者磁共振波谱分析

作     者：冯占辉 吕发金 黄华 晏宁 罗天友 王学峰 晏勇 FENG Zhan-hui;LV Fa-jin;HUANG Hua;YAN Ning;LUO Tian-you;WANG Xue-feng;YAN Yong

作者机构：重庆医科大学附属第一医院神经内科重庆市神经病学重点实验室重庆400016 重庆医科大学附属第一医院放射科重庆400016 

出 版 物：《中国医学影像技术》 (Chinese Journal of Medical Imaging Technology)

年 卷 期：2009年第25卷第5期

页      面：764-767页

核心收录：

学科分类：0831[工学-生物医学工程（可授工学、理学、医学学位）] 100207[医学-影像医学与核医学] 1002[医学-临床医学] 08[工学] 1010[医学-医学技术（可授医学、理学学位）] 100204[医学-神经病学] 10[医学] 

基　　金：国家自然科学基金(30570636) 

主　　题：皮质发育障碍 癫痫 氢质子磁共振波谱 

摘      要：目的应用氢质子磁共振波谱(1H-MRS)探讨不同类型皮质发育障碍患者的脑代谢异常改变。方法收集诊断明确的大脑皮质发育障碍伴有癫痫发作患者20例,对照组25名健康受试者。所有受试者均进行多体素二维1H-MRS扫描。测量不同类型皮质发育障碍患者病灶区、病灶毗邻区、远离病灶区皮质NAA/Cr值,并与对照组相应区域皮质NAA/Cr值进行比较。结果局灶性皮质发育不良患者病灶区、病灶毗邻区较对照组NAA/Cr值显著降低(P0.05);脑裂畸形病灶区较对照组NAA/Cr值降低(P0.05);三种类型皮质发育障碍远离病灶区与对照组NAA/Cr值之间差异无统计学意义(P0.05)。结论应用多体素二维1H-MRS能够区分不同类型皮质发育障碍脑代谢特点,从分子代谢水平为大脑DCDs的诊断提供了一种新的途径。