4H-SiC中基面位错发光特性研究

作     者：苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门 Miao Rui-Xia;Zhang Yu-Ming;Tang Xiao-Yan;Zhang Yi-Men

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第3期

页      面：745-748页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60876061) 陕西13115创新工程(批准号:2008ZDKG-30) 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925009) 国防基金(批准号:9140A08050508)资助的课题 

主　　题：4H-SiC 基面位错 发光特性 禁带宽度 

摘      要：本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530nm附近和480nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.