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晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究
Impact of Gate Shape of Transistor on Single Event Transient Pulse作者机构：北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心北京100076
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：2014年第31卷第10期
页 面：76-80页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别.分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在PMOS和NMOS器件中的不同机理,对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义.
