单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用

作     者：王光红 张晓丹 孙福河 许盛之 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 赵颖 WANG Guang-hong;ZHANG Xiao-dan;SUN Fu-he;XU Sheng-zhi;YUE Qiang;WEI Chang-chun;SUN Jian;GENG Xin-hua;XIONG Shao-zhen;ZHAO Ying

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2009年第20卷第5期

页      面：637-641页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436) 国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602 2006CB202603) 国家自然科学基金资助项目(60506003) 科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390) 教育部新世纪人才计划的资助项目 南开大学博士启动基金资助项目(J02031) 

主　　题：单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 本征微晶硅(μc-Si) 太阳电池 

摘      要：为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。