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超厚层4H-SiC同质外延材料
Ultra-thick 4H-SiC Homo-epitaxial Wafers作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2019年第39卷第2期
页 面：F0003-F0003页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：4H-SiC 外延材料 厚层 南京电子器件研究所 缺陷控制 三角形 同质外延 芯片性能
摘 要：缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三角形缺陷密度至关重要。南京电子器件研究所追踪衬底/外延层界面处的缺陷转化信息,分析了三角形缺陷的主要成因,并通过优化衬底刻蚀时间及温度,有效消除由于衬底表面加工损伤引入的三角形成核几率。
