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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
出 版 物：《无机盐工业》 (Inorganic Chemicals Industry)
年 卷 期：2006年第38卷第12期
页 面：33-33页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：氧化锌薄膜 低温生长 缓冲层 单晶 硅(001) MOCVD 磁控溅射 外延薄膜
摘 要：本发明是一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：1）取一衬底；2）在该衬底上的硅（001）晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；3）在氧化锌缓冲层上，采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。
