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基于65nm工艺数字IC物理设计中信号串扰的预防
The Prevention of Signal Crosstalk in Digital IC Physical Design Based on 65nm Technology出 版 物：《电子技术（上海）》 (Electronic Technology)
年 卷 期：2012年第39卷第1期
页 面：47-48页
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
摘 要：数字集成电路的不断发展和制造工艺的不断进步,使得物理设计面临着越来越多的挑战。特征尺寸的减小,使得后端设计过程中解决信号完整性问题是越来越重要。互连线间的串扰就是其中的一个,所以在后端设计的流程中,对串扰的预防作用也显得尤为重要。本文就TSMC 65nm工艺下,根据具体的设计模块,探索物理设计流程中如何才能更好的预防串扰对芯片时序的影响。
