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单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型
An model of tunneling gate current for uniaxially strained Si nMOSFET作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2011年第60卷第9期
页 面：596-601页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家部委项目(批准号:51308040203,6139801) 中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089) 陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题
摘 要：本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.
