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0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应
Total ionizing dose effect of 0.18μm nMOSFETs作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2011年第60卷第11期
页 面：489-493页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 MOSFET
摘 要：对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.
