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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
作者机构:西南师范大学物理学院重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433
出 版 物:《中国科学(E辑)》 (Science in China(Series E))
年 卷 期:2005年第35卷第3期
页 面:278-289页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:国家重点基础研究特别基金(批准号: 2001CB610408) 重庆市科委(批准号: 2003-7934)资助项目
主 题:多孔硅 电化学腐蚀 硅基微腔 电致发光 有机光发射二极管
摘 要:从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发射扫描电子显微图清晰显示: SBM-OLEDs 具有纳米级层次结构和平整的界面. PS-DBR 反射谱的阻止带宽 160 nm, 且反射率达 99%.SBM-OLEDs 的反射谱中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜. 在绿光和红光波段, 从 SBM-OLEDs 中都得到了改进的电致发光(EL)谱: 绿光(红光)EL 谱的半高宽可由无微腔的 83 nm (70 nm)窄化为有微腔时的 8 nm (12 nm), 且为单峰发射,微腔器件 EL 谱的色纯性有较大提高. 与非微腔器件相比, 发绿光和发红光的微腔在谐振波长处 EL的强度分别增强了 6倍和 4倍. 对微腔器件的电流-亮度-电压(I-B-V)特性和影响器件寿命的因素也进行了讨论.