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基于OMP的SRAM成品率分析的分组建模方法

OMP-based SRAM performance modeling approach via clustering the simulation data

作     者:梁堃 张龙 赵振国 杨帆 LIANG Kun;ZHANG Long;ZHAO Zhenguo;YANG Fan

作者机构:中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 中国工程物理研究院高性能数值模拟软件中心北京100088 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物:《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期:2020年第18卷第1期

页      面:155-159页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:分组建模 正交匹配追踪 重要性采样 静态随机存取存储器成品率预测 

摘      要:静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组,之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型,该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比,基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间,提高建模准确度,还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。

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